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IXFH36N55Q2

Name: IXYS IXFH36N55Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH36N55Q2
Price: 12.46 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFH36N55Q2

N° de fab. :

IXFH36N55Q2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFH36N55Q2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	12,46 €	373,80 €
	10,77 €	1 292,40 €
	10,19 €	5 196,90 €
	9,52 €	9 710,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	550 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	560 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Série:	IXFH36N55
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	6 g