Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXFH50N30Q3

Name: IXYS IXFH50N30Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH50N30Q3
Price: 16.46 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFH50N30Q3

N° de fab. :

IXFH50N30Q3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

Fiche technique:

IXFH50N30Q3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXFH50N30Q3

En stock: 352

Stock:: 352 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 30 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	16,46 €	16,46 €
	12,54 €	125,40 €
	10,44 €	1 252,80 €
	9,19 €	4 686,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	690 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	250 ns
Série:	IXFH50N30
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	6 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXFH50N30Q3 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Corée, République de
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Systèmes de drones commerciaux et tactiques

Les Systèmes de drones commerciaux et tactiques Littelfuse offrent des solutions de protection de batteries au lithium, de chargeurs de batteries et de distribution d'énergie. Ces systèmes fournissent des fusibles de protection d'entrées/de protection contre les surintensités, des MOSFET de commutation de semiconducteurs et des diodes TVS pour la protection contre lesrégimes transitoires/surtensions de sortie en CC. Les systèmes de drones (UAV) commerciaux et tactiques offrent une protection de batterie >60 V et fournissent un isolement contre les anomalies de bloc principal, une déconnexion de batterie/un contrôle de chemin d'alimentation (assistance de précharge) et une protection contre les surintensités de circuits de dérivation. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire, la surveillance des frontières, l'agriculture, la livraison/logistique, l'inspection et la sécurité publique.

Systèmes de drones militaires hybrides /à propulsion thermique

Les systèmes de drones à propulsion thermique/hybrides militaires de Littelfuse offrent des solutions de conversion d'énergie et de bus CC, de distribution d'électricité et d'alimentation électrique de chargeurs/de mise à la terre. Ces systèmes prennent en charge la conversion d'énergie et un bus CC à diode de redressement qui convertit la tension d'une ligne de CA en tension continue. Les systèmes de véhicules aériens sans pilote (UAV) à propulsion thermique/hybrides militaires fournissent des diodes TVS, des fusibles et des MOSFET pour des commutateurs à semiconducteurs, pour la protection contre les surtensions et pour le redressement électrique. Ces systèmes proposent des produits de qualité AEC-Q/MIL pour diverses fonctions. Les applications typiques comprennent le renseignement, la surveillance et la reconnaissance (ISR), le domaine militaire, la surveillance des frontières, l'agriculture, la livraison/logistique, l'inspection et la sécurité publique.

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3 d'IXYS offrent à l'utilisateur final une large gamme de dispositifs offrant des performances de commutation de puissance exceptionnelles. Ils offrent également d'excellentes caractéristiques thermiques, une robustesse améliorée du dispositif et une haute efficacité énergétique. Ces MOSFET sont fournis avec une tension drain-source nominale de 200 V à 1 000 V et un courant de drain nominal de 10 A à 100 A. Ces caractéristiques font de la classe Q3 une combinaison optimisée de faibles résistance à l'état passant (R_dson) et charge de grille (Q_g), ce qui réduit considérablement à la fois la perte de conduction et de commutation du composant. Ses capacités de commutation de puissance et la robustesse du dispositif sont davantage renforcées par l'utilisation du processus HiperFET. Ce processus produit un composant avec un redresseur intrinsèque rapide qui fournit une faible charge de récupération inverse (Q_rr) tout en améliorant les valeurs nominales dv/dt de commutation (jusqu'à 50 V/ns) du composant.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.