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IXFH50N50P3

Name: IXYS IXFH50N50P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH50N50P3
Price: 10.72 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFH50N50P3

N° de fab. :

IXFH50N50P3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Fiche technique:

IXFH50N50P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,72 €	10,72 €
	7,59 €	75,90 €
	6,39 €	766,80 €
510	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	120 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	85 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	960 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	Polar3, HiperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	IXFH50N50
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	53 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	6 g