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IXFH52N30P

Name: IXYS IXFH52N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH52N30P
Price: 8.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFH52N30P

N° de fab. :

IXFH52N30P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds

Fiche technique:

IXFH52N30P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,45 €	8,45 €
	5,38 €	53,80 €
	4,66 €	559,20 €
	4,48 €	2 284,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	52 A
Rds On - Résistance drain-source:	73 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	110 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	400 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	IXFH52N30
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXFH52N30P Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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