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IXFH6N100Q

Name: IXYS IXFH6N100Q
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH6N100Q
Price: 6.61 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFH6N100Q

N° de fab. :

IXFH6N100Q

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFH6N100Q Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	5,50 €	660,00 €
	4,90 €	2 499,00 €
	4,58 €	4 671,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	6 g