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IXFH6N120P

Name: IXYS IXFH6N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH6N120P
Price: 12.87 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXFH6N120P

N° de fab. :

IXFH6N120P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

Fiche technique:

IXFH6N120P Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	12,87 €	12,87 €
	9,80 €	98,00 €
	8,16 €	979,20 €
	7,18 €	3 661,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.75 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	92 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	6 g