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IXFK360N15T2

Name: IXYS IXFK360N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK360N15T2
Price: 33.22 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXFK360N15T2

N° de fab. :

IXFK360N15T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Fiche technique:

IXFK360N15T2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	33,22 €	33,22 €
	27,12 €	271,20 €
	23,94 €	2 394,00 €
	23,63 €	11 815,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	360 A
Rds On - Résistance drain-source:	4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	715 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.67 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	265 ns
Transconductance directe - min.:	140 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	170 ns
Série:	IXFK360N15
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	115 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	10 g

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Fiche technique

IXFK360N15T2 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
BRHTS:: 85415020
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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