IXFK38N80Q2

IXYS
747-IXFK38N80Q2
IXFK38N80Q2

Fab. :

Description :
MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
46 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
28,20 € 28,20 €
22,58 € 225,80 €
17,26 € 1 726,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
800 V
38 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
735 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 12 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 16 ns
Série: IXFK38N80
Nombre de pièces de l'usine: 25
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 60 ns
Délai d'activation standard: 20 ns
Poids de l''unité: 10 g
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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