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IXFK40N90P

Name: IXYS IXFK40N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK40N90P
Price: 22.3 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFK40N90P

N° de fab. :

IXFK40N90P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Fiche technique:

IXFK40N90P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6.5 V
Qg - Charge de grille:	230 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	960 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	46 ns
Transconductance directe - min.:	30 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	50 ns
Série:	IXFK40N90
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	77 ns
Délai d'activation standard:	53 ns
Poids de l''unité:	10 g