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IXFK90N60X

Name: IXYS IXFK90N60X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK90N60X
Price: 20.63 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFK90N60X

N° de fab. :

IXFK90N60X

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-264(3)

Fiche technique:

IXFK90N60X Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	15,41 €	154,10 €
	13,32 €	1 332,00 €
	12,62 €	6 310,00 €
	11,78 €	11 780,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	38 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	210 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.1 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	84 ns
Délai d'activation standard:	38 ns
Poids de l''unité:	10 g

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Fiche technique

IXFK90N60X Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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