IXFL80N50Q2

IXYS
747-IXFL80N50Q2
IXFL80N50Q2

Fab. :

Description :
MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds

Cycle de vie:
NRND:
Non recommandé pour de nouvelles conceptions.
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
29,63 € 29,63 €
24,17 € 241,70 €
21,35 € 2 135,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
500 V
66 A
66 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
380 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 11 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 25 ns
Série: IXFL80N50
Nombre de pièces de l'usine: 25
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 60 ns
Délai d'activation standard: 29 ns
Poids de l''unité: 10 g
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.