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IXFN100N50P

Name: IXYS IXFN100N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN100N50P
Price: 52.1 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN100N50P

N° de fab. :

IXFN100N50P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 500V 100A

Fiche technique:

IXFN100N50P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	52,10 €	52,10 €
	43,95 €	439,50 €
	38,74 €	3 874,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	49 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.04 mW
Série:	IXFN100N50
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	26 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	29 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN100N50P Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.