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IXFN100N65X2

Name: IXYS IXFN100N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN100N65X2
Price: 36.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN100N65X2

N° de fab. :

IXFN100N65X2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 650V/78A miniBLOC SOT-227

Fiche technique:

IXFN100N65X2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	36,38 €	36,38 €
	29,68 €	296,80 €
	26,21 €	2 621,00 €
500	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	78 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	595 W
Série:	650V Ultra Junction X2
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	13 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	26 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	37 ns
Vr - Tension inverse:	100 V
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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Les solutions de charge de véhicules électriques Littelfuse permettent aux concepteurs de choisir la solution idéale pour assurer la fonctionnalité et la sécurité des unités de charge des véhicules électriques. Les stations de recharge non-embarquées des véhicules électriques fonctionnent dans des environnements difficiles soumis à la chaleur et au froid extrêmes, à la pluie, à la neige et à la foudre. Les produits Littelfuse protègent contre ces dangers, en réduisant les risques de défaillance au minimum.

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IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

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Les MOSFET de puissance X2-Class avec HiPerFET™ de IXYS sont conçus pour les applications de commutation de puissance à haut rendement et à grande vitesse. Les MOSFET Ultra-Junction X2-Class offrent une faible charge de grille et une excellente robustesse avec une diode intrinsèque rapide. Ces MOSFET sont disponibles dans de nombreux boîtiers industriels standard, y compris des types isolés. Les applications typiques sont les alimentations à découpage et en mode résonant, les convertisseurs CC-CC, les circuits PFC, les variateurs de moteurs CA et CC, ainsi que la robotique et les servocommandes.

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