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IXFN102N30P

Name: IXYS IXFN102N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN102N30P
Price: 21.83 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN102N30P

N° de fab. :

IXFN102N30P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds

Fiche technique:

IXFN102N30P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	21,83 €	6 549,00 €
	21,54 €	10 770,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	86 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	570 W
Série:	IXFN102N30
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	30 ns
Hauteur:	12.22 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN102N30P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.