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IXFN110N60P3

Name: IXYS IXFN110N60P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN110N60P3
Price: 46.5 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN110N60P3

N° de fab. :

IXFN110N60P3

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET

Fiche technique:

IXFN110N60P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	46,50 €	46,50 €
	39,58 €	395,80 €
	34,58 €	3 458,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	56 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 mW
Série:	IXFN110N60
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	106 ns
Délai d'activation standard:	63 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN110N60P3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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