Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXFN170N30P

Name: IXYS IXFN170N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN170N30P
Price: 37.13 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFN170N30P

N° de fab. :

IXFN170N30P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds

Fiche technique:

IXFN170N30P Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXFN170N30P

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 27 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 300 Multiples : 10

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	37,13 €	11 139,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	138 A
Rds On - Résistance drain-source:	18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Série:	IXFN170N30
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Hauteur:	12.22 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	29 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	Polar Power MOSFET HiPerFET
Délai de désactivation type:	79 ns
Délai d'activation standard:	41 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXFN170N30P Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.