IXFN180N10

Name: IXYS IXFN180N10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN180N10
Price: 45.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN180N10

N° de fab. :

IXFN180N10

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds

Fiche technique:

IXFN180N10 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Rds On - Résistance drain-source:	8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	600 W
Série:	IXFN180N10
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	65 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	90 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	140 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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IXFN180N10

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