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IXFN180N25T

Name: IXYS IXFN180N25T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN180N25T
Price: 31.88 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN180N25T

N° de fab. :

IXFN180N25T

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 155A 250V

Fiche technique:

IXFN180N25T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	31,88 €	31,88 €
	26,01 €	260,10 €
	22,98 €	2 298,00 €
	22,69 €	11 345,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	250 V
Id - Courant continu de fuite:	168 A
Rds On - Résistance drain-source:	12.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	900 W
Série:	IXFN180N25
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	20 ns
Hauteur:	12.22 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	52 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	GigaMOS Power MOSFET
Délai de désactivation type:	88 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g