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IXFN200N10P

Name: IXYS IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN200N10P
Price: 30.28 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN200N10P

N° de fab. :

IXFN200N10P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Fiche technique:

IXFN200N10P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	30,28 €	30,28 €
	24,70 €	247,00 €
	21,82 €	2 182,00 €
	21,54 €	10 770,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	680 W
Série:	IXFN200N10
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	KR
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	90 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	35 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	150 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g