IXFN210N20P

Name: IXYS IXFN210N20P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N20P
Price: 52.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN210N20P

N° de fab. :

IXFN210N20P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	188 A
Rds On - Résistance drain-source:	10.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.07 kW
Série:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	MOSFET Modules
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Poids de l''unité:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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IXFN210N20P

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