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IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 51.57 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN210N30P3

N° de fab. :

IXFN210N30P3

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Fiche technique:

IXFN210N30P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	51,57 €	51,57 €
	43,98 €	439,80 €
	38,35 €	3 835,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	192 A
Rds On - Résistance drain-source:	14.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 kW
Série:	IXFN210N30
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	94 ns
Délai d'activation standard:	46 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN210N30P3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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