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IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 39.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN210N30P3

N° de fab. :

IXFN210N30P3

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Fiche technique:

IXFN210N30P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	192 A
Rds On - Résistance drain-source:	14.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 kW
Série:	IXFN210N30
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	94 ns
Délai d'activation standard:	46 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN210N30P3 Fiche technique

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JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.