Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXFN26N100P

Name: IXYS IXFN26N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN26N100P
Price: 49.36 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFN26N100P

N° de fab. :

IXFN26N100P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets 26 Amps 1000V 0.39 Rds

Fiche technique:

IXFN26N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de IXYS IXFN26N100P

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 27 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 300 Multiples : 10

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	49,36 €	14 808,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Technologie:	Si
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXFN26N100
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	50 ns
Id - Courant continu de fuite:	23 A
Pd - Dissipation d’énergie :	595 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	390 mOhms
Temps de montée:	45 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	72 ns
Délai d'activation standard:	45 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Poids de l''unité:	30 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IXFN26N100P Fiche technique

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.