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IXFN320N17T2

Name: IXYS IXFN320N17T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN320N17T2
Price: 41.2 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN320N17T2

N° de fab. :

IXFN320N17T2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Fiche technique:

IXFN320N17T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	170 V
Id - Courant continu de fuite:	260 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.07 kW
Série:	IXFN320N17
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	230 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	170 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	GigaMOS Trench T2 HiperFet
Délai de désactivation type:	115 ns
Délai d'activation standard:	46 ns
Poids de l''unité:	30 g