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IXFN32N80P

Name: IXYS IXFN32N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N80P
Price: 21.87 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN32N80P

N° de fab. :

IXFN32N80P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds

Fiche technique:

IXFN32N80P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	21,87 €	6 561,00 €
	21,59 €	10 795,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	270 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	625 W
Série:	IXFN32N80
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	26 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	29 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN32N80P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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