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IXFN34N100

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N° Mouser :

747-IXFN34N100

N° de fab. :

IXFN34N100

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IXFN34N100 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	700 W
Série:	IXFN34N100
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	30 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.2 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	65 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HyperFET
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	41 ns
Largeur:	25.07 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN34N100 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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