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IXFN360N15T2

Name: IXYS IXFN360N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN360N15T2
Price: 54.64 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN360N15T2

N° de fab. :

IXFN360N15T2

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Fiche technique:

IXFN360N15T2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	54,64 €	54,64 €
	46,43 €	464,30 €
	41,20 €	4 120,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	310 A
Rds On - Résistance drain-source:	4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.07 mW
Série:	IXFN360N15
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	265 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	170 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	GigaMOS Trench T2 HiperFet
Délai de désactivation type:	115 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Vr - Tension inverse:	60 V
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN360N15T2 Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Corée, République de
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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