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IXFN38N100P

Name: IXYS IXFN38N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN38N100P
Price: 54.9 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN38N100P

N° de fab. :

IXFN38N100P

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 38 Amps 1000V

Fiche technique:

IXFN38N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	47,69 €	476,90 €
	39,90 €	3 990,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 kW
Série:	IXFN38N100
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	40 ns
Hauteur:	9.6 mm
Longueur:	38.23 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	55 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	71 ns
Délai d'activation standard:	74 ns
Largeur:	25.42 mm
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN38N100P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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