IXFN62N80Q3

Name: IXYS IXFN62N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN62N80Q3
Price: 68.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN62N80Q3

N° de fab. :

IXFN62N80Q3

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

Fiche technique:

IXFN62N80Q3 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	49 A
Rds On - Résistance drain-source:	140 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	960 W
Série:	IXFN62N80
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	300 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Poids de l''unité:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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IXFN62N80Q3

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