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IXFN62N80Q3

Name: IXYS IXFN62N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN62N80Q3
Price: 45.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN62N80Q3

N° de fab. :

IXFN62N80Q3

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A

Fiche technique:

IXFN62N80Q3 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	49 A
Rds On - Résistance drain-source:	140 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	960 W
Série:	IXFN62N80
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	300 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN62N80Q3 Fiche technique

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3

Les MOSFET de puissance HiPerFET™ de classe Q3 d'IXYS offrent à l'utilisateur final une large gamme de dispositifs offrant des performances de commutation de puissance exceptionnelles. Ils offrent également d'excellentes caractéristiques thermiques, une robustesse améliorée du dispositif et une haute efficacité énergétique. Ces MOSFET sont fournis avec une tension drain-source nominale de 200 V à 1 000 V et un courant de drain nominal de 10 A à 100 A. Ces caractéristiques font de la classe Q3 une combinaison optimisée de faibles résistance à l'état passant (R_dson) et charge de grille (Q_g), ce qui réduit considérablement à la fois la perte de conduction et de commutation du composant. Ses capacités de commutation de puissance et la robustesse du dispositif sont davantage renforcées par l'utilisation du processus HiperFET. Ce processus produit un composant avec un redresseur intrinsèque rapide qui fournit une faible charge de récupération inverse (Q_rr) tout en améliorant les valeurs nominales dv/dt de commutation (jusqu'à 50 V/ns) du composant.

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .