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IXFN70N100X

Name: IXYS IXFN70N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN70N100X
Price: 73.98 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN70N100X

N° de fab. :

IXFN70N100X

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET

Fiche technique:

IXFN70N100X Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	73,98 €	73,98 €
	61,12 €	611,20 €
	58,18 €	5 818,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	65 A
Rds On - Résistance drain-source:	89 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.2 kW
Série:	X-Class
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Délai de désactivation type:	127 ns
Délai d'activation standard:	48 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN70N100X Fiche technique

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Codes de conformité

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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