IXFN80N50Q3

Name: IXYS IXFN80N50Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN80N50Q3
Price: 57.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFN80N50Q3

N° de fab. :

IXFN80N50Q3

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A

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IXFN80N50Q3 Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	63 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	780 W
Série:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	250 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Poids de l''unité:	30 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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IXFN80N50Q3

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Description : Modules MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A

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