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IXFN90N85X

Name: IXYS IXFN90N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN90N85X
Price: 46.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFN90N85X

N° de fab. :

IXFN90N85X

Fab. :

IXYS

Description :

Modules MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class

Fiche technique:

IXFN90N85X Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SOT-227-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	850 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.2 kW
Série:	X-Class
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	HiPerFET
Type:	HiperFET
Délai de désactivation type:	126 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	30 g

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Fiche technique

IXFN90N85X Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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