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IXFP110N15T2

Name: IXYS IXFP110N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP110N15T2
Price: 6.37 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFP110N15T2

N° de fab. :

IXFP110N15T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

Fiche technique:

IXFP110N15T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,37 €	6,37 €
	4,27 €	42,70 €
	3,05 €	305,00 €
	2,86 €	1 430,00 €
	2,85 €	2 850,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	110 A
Rds On - Résistance drain-source:	11 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	75 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	IXFP110N15
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	33 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	2 g