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IXFP14N60P

Name: IXYS IXFP14N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP14N60P
Price: 6.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFP14N60P

N° de fab. :

IXFP14N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 600V 14A

Fiche technique:

IXFP14N60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,07 €	6,07 €
	4,07 €	40,70 €
	3,26 €	326,00 €
	2,73 €	1 365,00 €
	2,57 €	2 570,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	550 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	IXFP14N60
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IXFP14N60P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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