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IXFP16N60P3

Name: IXYS IXFP16N60P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP16N60P3
Price: 3.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFP16N60P3

N° de fab. :

IXFP16N60P3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO220 600V 16A N-CH POLAR

Fiche technique:

IXFP16N60P3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	470 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	347 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IXFP16N60P3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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