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IXFP20N50P3M

Name: IXYS IXFP20N50P3M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP20N50P3M
Price: 3.04 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFP20N50P3M

N° de fab. :

IXFP20N50P3M

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

Fiche technique:

IXFP20N50P3M Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	300 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	58 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXFP20N50
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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