IXFP34N65X2M

IXYS
747-IXFP34N65X2M
IXFP34N65X2M

Fab. :

Description :
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 184

Stock:
184 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
27 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,16 € 9,16 €
5,02 € 50,20 €
4,42 € 442,00 €
4,29 € 2 145,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
100 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 30 ns
Transconductance directe - min.: 12 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 60 ns
Série: 650V Ultra Junction X2
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 64 ns
Délai d'activation standard: 37 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

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