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IXFP3N80

Name: IXYS IXFP3N80
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP3N80
Price: 4.08 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFP3N80

N° de fab. :

IXFP3N80

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFP3N80 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	4,08 €	204,00 €
	3,00 €	300,00 €
	2,67 €	1 335,00 €
	2,36 €	2 360,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	3.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.6 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	IXFP3N80
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	2 g