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IXFP4N100PM

Name: IXYS IXFP4N100PM
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP4N100PM
Price: 8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFP4N100PM

N° de fab. :

IXFP4N100PM

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO220 1KV 4A N-CH POLAR

Fiche technique:

IXFP4N100PM Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	8,00 €	8,00 €
	5,63 €	56,30 €
	4,55 €	455,00 €
	3,81 €	1 905,00 €
	3,78 €	3 780,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	2.1 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	26 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	50 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	36 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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