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IXFP90N20X3

Name: IXYS IXFP90N20X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP90N20X3
Price: 8.85 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFP90N20X3

N° de fab. :

IXFP90N20X3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 200V/90A X3-Class HiPerFET

Fiche technique:

IXFP90N20X3 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,85 €	8,85 €
	6,25 €	62,50 €
	4,58 €	458,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	12.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	78 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	390 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	40 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 ns
Série:	IXFP10N60
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	62 ns
Délai d'activation standard:	22 ns
Poids de l''unité:	2 g