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IXFQ60N60X

Name: IXYS IXFQ60N60X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFQ60N60X
Price: 16.35 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFQ60N60X

N° de fab. :

IXFQ60N60X

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)

Fiche technique:

IXFQ60N60X Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	16,35 €	16,35 €
	12,45 €	124,50 €
	10,37 €	1 244,40 €
	9,25 €	4 717,50 €
	8,63 €	8 802,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	55 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	143 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	23 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	27 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

IXFQ60N60X Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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