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IXFR32N100Q3

Name: IXYS IXFR32N100Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR32N100Q3
Price: 35.58 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFR32N100Q3

N° de fab. :

IXFR32N100Q3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A

Fiche technique:

IXFR32N100Q3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	23 A
Rds On - Résistance drain-source:	350 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	195 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	570 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	300 ns
Série:	IXFR32N100
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	6 g