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IXFT120N15P

Name: IXYS IXFT120N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT120N15P
Price: 13.24 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFT120N15P

N° de fab. :

IXFT120N15P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds

Fiche technique:

IXFT120N15P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	13,24 €	13,24 €
	10,08 €	100,80 €
	7,61 €	913,20 €
	6,99 €	3 564,90 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	16 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	600 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	26 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	42 ns
Série:	IXFT120N15
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	33 ns
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

IXFT120N15P Fiche technique

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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