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IXFT120N30X3HV

Name: IXYS IXFT120N30X3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT120N30X3HV
Price: 20.74 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFT120N30X3HV

N° de fab. :

IXFT120N30X3HV

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO268 300V 120A N-CH X3CLASS

Fiche technique:

IXFT120N30X3HV Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	20,74 €	20,74 €
	15,49 €	154,90 €
	13,39 €	1 606,80 €
	12,68 €	6 466,80 €
1 020	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	11 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	735 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	60 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

IXFT120N30X3HV Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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