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IXFT140N20X3HV

Name: IXYS IXFT140N20X3HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT140N20X3HV
Price: 10.01 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFT140N20X3HV

N° de fab. :

IXFT140N20X3HV

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO268 200V 140A N-CH X3CLASS

Fiche technique:

IXFT140N20X3HV Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	140 A
Rds On - Résistance drain-source:	9.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	127 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	55 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	28 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

IXFT140N20X3HV Fiche technique

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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