Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

IXFT26N50

Name: IXYS IXFT26N50
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT26N50
Price: 7.53 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFT26N50

N° de fab. :

IXFT26N50

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFT26N50 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 30 Multiples : 30

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,53 €	225,90 €
	6,27 €	752,40 €
	5,59 €	2 850,90 €
	5,22 €	5 324,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-268-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	200 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	30 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	33 ns
Série:	IXFT26N50
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	4,500 g