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IXFT320N10T2

Name: IXYS IXFT320N10T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT320N10T2
Price: 22.44 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXFT320N10T2

N° de fab. :

IXFT320N10T2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

Fiche technique:

IXFT320N10T2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	22,44 €	22,44 €
	17,97 €	179,70 €
	15,53 €	1 863,60 €
	14,71 €	7 502,10 €
1 020	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	320 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	430 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	73 ns
Transconductance directe - min.:	80 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	46 ns
Série:	IXFT320N10
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	73 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Poids de l''unité:	6,500 g