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IXFT50N85XHV

Name: IXYS IXFT50N85XHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT50N85XHV
Price: 20.38 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFT50N85XHV

N° de fab. :

IXFT50N85XHV

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

Fiche technique:

IXFT50N85XHV Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	20,38 €	20,38 €
	16,32 €	163,20 €
	14,10 €	1 692,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	850 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	105 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	152 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	19 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Série:	X-Class
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	69 ns
Délai d'activation standard:	27 ns
Poids de l''unité:	4 g