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IXFT58N20

Name: IXYS IXFT58N20
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT58N20
Price: 10.41 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFT58N20

N° de fab. :

IXFT58N20

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFT58N20 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	10,41 €	3 123,00 €
	9,86 €	5 028,60 €
	9,22 €	9 404,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-268-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	58 A
Rds On - Résistance drain-source:	40 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	16 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	72 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	4,500 g