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IXFT86N30T

Name: IXYS IXFT86N30T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT86N30T
Price: 6.81 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFT86N30T

N° de fab. :

IXFT86N30T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A

Fiche technique:

IXFT86N30T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	86 A
Rds On - Résistance drain-source:	43 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	180 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	830 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	54 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Série:	IXFT86N30
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	54 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	4,500 g

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Fiche technique

IXFT86N30T Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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